快科技12月22日消息，据报道，韩国存储芯片领域的两大巨头三星和SK海力士，目前正加快内存产品的生产步伐，以此来应对人工智能领域带来的需求增长。
据报道，三星电子近期除了提高韩国本土DRAM和NAND闪存的产线利用率外，还着重加大了高带宽内存（HBM）等高端产品的生产规模。
另外，三星于11月决定恢复平泽五厂的施工，计划2028年启动量产，以此增强公司满足先进存储芯片需求的能力。
关于SK海力士，其清州的M15X新工厂目前正积极筹备投产事宜，该工厂将专注于DRAM以及其他面向AI的存储产品。
业界高层透露，SK海力士正计划提前于原定的2027年，建成龙仁半导体园区内的首座晶圆厂，这座设施的规模可媲美六座M15X晶圆厂。
考虑到未来几年人工智能相关需求预计将持续大幅增长，产能已成为衡量竞争力的核心要素。据市场研究机构Omdia的数据显示，全球动态随机存取存储器（DRAM）市场规模有望在2026年前攀升至1700亿美元，较2024年的1000亿美元呈现显著增长态势。
